功能描述：MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

制造商：microsemi corporation

系列：POWER MOS 8??

包装：管件

零件状态：初步

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：58A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：340nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13500pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：540W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 42A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

供应商器件封装：ISOTOP?

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

标准包装：1

APT5F100K

APT6010B2FLLG

APT6010B2LLG

APT6010JLL

APT6010LFLLG

APT6010LLLG

APT6011B2VFRG

APT6011B2VRG

APT6011LVFRG

APT6011LVRG